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篇名: Intel積極搶攻non-vo
作者: tomhuang	日期: 2007.03.09　　天氣: 　心情:

Intel積極搶攻non-volatile記憶體市場

根據Electronic News報導，Intel的flash memory group高階主管Brian Harrison說明了有關於該公司未來將如何搶佔non-volatile記憶體市場的計畫；這個市場在2006年度的規模約為200億美元，預測到了2010將成長至400億美元。Intel依據non-volatile記憶體密度消耗每年約以91%的速度成長，再加上手機、運算各領域的應用與機會來評估，該公司對於搶攻這個市場的遠大目標非常有信心。

在NOR方面，Harrison強調Intel之前已經推出六個世代的MLC產品，並且擁有M18系列能與90、65及45奈米node相容。在去年第四季，該公司更推出第一款65奈米1-gigabyte NOR晶片；這款晶片的推出距離90奈米晶片只有一年。在NAND方面，Intel與Micron在去年七月透過IM Flash Technologies開始供應50奈米NAND晶片。

展望未來，Intel非常看好新型態的記憶體phase-change memory (PCM) 將具有很高的發展潛力，因為它兼具RAM、NOR與NAND的優點。PCM記憶體具有write-over的特性，也就是舊有的資料無需先被刪除就可直接再撰寫上新的資料。Intel預定在今年第二季開始提供90奈米工作樣品與標準樣品，客戶可望在今年底之前開始得到供貨。Intel積極押寶在PCM上，並且努力為這個技術創造價值。

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